คุณสมบัติหลักและข้อดีคือข้อดี

คุณสมบัติหลักและข้อดีคือข้อดี

ความถี่สูง: 350~400kHz (เทียบกับโซลูชัน Si MOS: 65kHz-150kHz)

ประสิทธิภาพสูง: 97% (230Vac), 95.2% (90Vac) โซลูชัน VS Si MOS: ปรับปรุงประสิทธิภาพ 2%

ขนาดเล็ก: 85.5*58*20.5 มม. (PCBA)

ความหนาแน่นของพลังงานสูง: 38.7W/in3 (PCBA) เทียบกับโซลูชัน Si MOS: ปริมาตรลดลง 70%

ป้องกันการลัดวงจร

การปิดระบบด้วยความร้อนสูงเกินไปช่วยปกป้อง OTP

การประยุกต์ใช้โครงการ

PD ชาร์จเร็ว

แหล่งจ่ายไฟออลอินวันพีซี

แหล่งจ่ายไฟของเครื่องเกม

เครื่องมือไฟฟ้า

จอแสดงผลแอลอีดี

หลอดสวิตช์บูสต์ PFC โดยใช้สวิตช์แกลเลียมไนไตรด์ Innorseco INN650D080B สองตัวพร้อมไดรเวอร์ประกอบด้วยฮาล์ฟบริดจ์ที่รวดเร็ว นี่คือแรงดันไฟฟ้า 650V แรงดันไฟฟ้าชั่วคราว 800V สวิตช์แกลเลียมไนไตรด์ที่ปรับปรุงแล้ว ความต้านทานการนำไฟฟ้า 80mΩ รองรับความถี่สวิตชิ่งที่สูงเป็นพิเศษ ไม่มีค่าธรรมเนียมการกู้คืนแบบย้อนกลับ ด้วยค่าเกตและประจุเอาต์พุตที่ต่ำมาก ตรงตามข้อกำหนดของมาตรฐาน JEDEC สำหรับการใช้งานทางอุตสาหกรรม การป้องกัน ESD ในตัว, RoHS, ไร้สารตะกั่ว, กฎระเบียบ EU REACH