พารามิเตอร์ทั่วไปของวงจรเรียงกระแสไดโอด

เซินเจิ้น Shenchuang Hi-tech Electronics Co., Ltd (SChitec) เป็นองค์กรเทคโนโลยีชั้นสูงซึ่งเชี่ยวชาญในการผลิตและจำหน่ายอุปกรณ์เสริมโทรศัพท์ ผลิตภัณฑ์หลักของเราประกอบด้วยที่ชาร์จสำหรับเดินทาง ที่ชาร์จในรถยนต์ สาย USB ธนาคารพลังงาน และผลิตภัณฑ์ดิจิทัลอื่นๆ ผลิตภัณฑ์ทั้งหมดมีความปลอดภัยและเชื่อถือได้ ด้วยรูปแบบที่เป็นเอกลักษณ์ ผลิตภัณฑ์ผ่านใบรับรองเช่น CE,FCC,ROHS,UL,PSE,C-Tick ฯลฯ , หากคุณสนใจ สามารถติดต่อ ceo@schitec.com ได้โดยตรง

ชาร์จอย่างปลอดภัยด้วย SChitec

พารามิเตอร์ทั่วไปของวงจรเรียงกระแสไดโอด

(1) กระแสไฟฟ้าที่แก้ไขโดยเฉลี่ยสูงสุด IF: หมายถึงกระแสไฟเฉลี่ยไปข้างหน้าสูงสุดที่อนุญาตให้ผ่านไดโอดเพื่อการทำงานในระยะยาว กระแสไฟฟ้านี้ถูกกำหนดโดยพื้นที่ทางแยกของทางแยก PN และสภาวะการกระจายความร้อน เมื่อใช้ โปรดใส่ใจกับกระแสเฉลี่ยผ่านไดโอดต้องไม่เกินค่านี้ และเพื่อให้ตรงตามเงื่อนไขการกระจายความร้อน ตัวอย่างเช่น ไดโอดซีรีส์ 1N4000 มี IF เท่ากับ 1A

(2) แรงดันไฟฟ้าย้อนกลับสูงสุด VR: หมายถึงแรงดันย้อนกลับสูงสุดที่อนุญาตให้ใช้กับไดโอด หากมีมากกว่าค่านี้ กระแสย้อนกลับ (IR) จะเพิ่มขึ้นอย่างรวดเร็ว และความนำไฟฟ้าทิศทางเดียวของไดโอดจะขาด ทำให้เกิดการพังทลายแบบย้อนกลับ โดยปกติแล้วครึ่งหนึ่งของแรงดันพังทลายแบบย้อนกลับ (VB) จะถูกใช้เป็น (VR) ตัวอย่างเช่น VR ของ 1N4001 คือ 50V, 1N4002-1n4006 คือ 100V, 200V, 400V, 600V และ 800V ตามลำดับ และ VR ของ 1N4007 คือ 1000V

(3) IR กระแสย้อนกลับสูงสุด: เป็นกระแสย้อนกลับที่ไดโอดได้รับอนุญาตให้ไหลที่แรงดันไฟฟ้าปฏิบัติการย้อนกลับสูงสุด พารามิเตอร์นี้สะท้อนถึงการนำไฟฟ้าทิศทางเดียวของไดโอด ดังนั้นค่ากระแสยิ่งน้อย คุณภาพไดโอดก็จะยิ่งดีขึ้น

(4) แรงดันพังทลาย VB: หมายถึงค่าแรงดันไฟฟ้าที่เส้นโค้งคุณลักษณะโวลต์-แอมแปร์ย้อนกลับของไดโอดโค้งงออย่างรวดเร็ว เมื่อการย้อนกลับเป็นลักษณะอ่อน มันหมายถึงค่าแรงดันไฟฟ้าที่กำหนดสภาวะกระแสไฟรั่วย้อนกลับ

(5) ความถี่การทำงานสูงสุด fm: เป็นความถี่การทำงานสูงสุดของไดโอดภายใต้สภาวะปกติ ส่วนใหญ่จะถูกกำหนดโดยความจุทางแยกและความจุการแพร่กระจายของทางแยก PN หากความถี่ในการทำงานเกิน fm ประสิทธิภาพการนำไฟฟ้าในทิศทางเดียวของไดโอดจะไม่สะท้อนให้เห็นอย่างดี ตัวอย่างเช่น ไดโอดซีรีส์ 1m4000 มีความถี่ fm 3 kHz ไดโอดกู้คืนเร็วอีกตัวหนึ่งใช้สำหรับการแก้ไขกำลังไฟฟ้ากระแสสลับความถี่สูง เช่น ในแหล่งจ่ายไฟแบบสวิตชิ่ง

(6) เวลาฟื้นตัวแบบย้อนกลับ trr: หมายถึงเวลาฟื้นตัวแบบย้อนกลับภายใต้โหลดที่ระบุ กระแสไปข้างหน้า และแรงดันไฟฟ้าชั่วคราวย้อนกลับสูงสุด

(7) ตัวเก็บประจุแบบ Zero-bias CO: หมายถึงผลรวมของความจุของตัวเก็บประจุแบบแพร่และตัวเก็บประจุแบบแยกเมื่อแรงดันไฟฟ้าตกคร่อมไดโอดเป็นศูนย์ เป็นที่น่าสังเกตว่าเนื่องจากข้อจำกัดของกระบวนการผลิต แม้แต่ไดโอดชนิดเดียวกันก็มีการกระจายพารามิเตอร์ขนาดใหญ่ พารามิเตอร์ที่กำหนดในคู่มือมักเป็นช่วง หากเงื่อนไขการทดสอบเปลี่ยนแปลง พารามิเตอร์ที่เกี่ยวข้องก็จะเปลี่ยนแปลงไปด้วย ตัวอย่างเช่น IR ของไดโอดเรียงกระแสปิดผนึกพลาสติกซิลิคอนซีรีส์ 1N5200 น้อยกว่า 10uA ที่ 25 องศา และที่ 100 องศา IR จะน้อยกว่า 500 uA