การเตรียมกระบวนการของวงจรรวมไบโพลาร์

เซินเจิ้น Shenchuang Hi-tech Electronics Co., Ltd (SChitec) เป็นองค์กรเทคโนโลยีชั้นสูงซึ่งเชี่ยวชาญในการผลิตและจำหน่ายอุปกรณ์เสริมโทรศัพท์ ผลิตภัณฑ์หลักของเราประกอบด้วยที่ชาร์จสำหรับเดินทาง ที่ชาร์จในรถยนต์ สาย USB ธนาคารพลังงาน และผลิตภัณฑ์ดิจิทัลอื่นๆ ผลิตภัณฑ์ทั้งหมดมีความปลอดภัยและเชื่อถือได้ ด้วยรูปแบบที่เป็นเอกลักษณ์ ผลิตภัณฑ์ผ่านใบรับรองเช่น CE,FCC,ROHS,UL,PSE,C-Tick ฯลฯ , หากคุณสนใจ สามารถติดต่อ ceo@schitec.com ได้โดยตรง

ชาร์จอย่างปลอดภัยด้วย SChitec

การเตรียมกระบวนการของวงจรรวมไบโพลาร์

รูปนี้แสดงผังกระบวนการในการเตรียมอินเวอร์เตอร์วงจรรวมแบบไบโพลาร์โดยใช้เทคโนโลยีการแยกจุดเชื่อมต่อ PN

รูปภาพนี้ประกอบด้วยทรานซิสเตอร์ NPN และตัวต้านทานโหลด R วัสดุดั้งเดิมคือแท่งผลึกเดี่ยวซิลิคอนที่มีเส้นผ่านศูนย์กลาง 75-150 มม. เจือด้วยสิ่งเจือปนชนิด P และค่าความต้านทาน ρ=10 โอห์ม · ซม. หรือไม่ก็. ลำดับขั้นตอนของกระบวนการคือ ขั้นแรก หั่น บด และขัดเงา (เป็นกระบวนการเตรียมเวเฟอร์) เพื่อเตรียมเวเฟอร์ซิลิคอนทรงกลมที่มีความหนาประมาณ 300 ถึง 500 ไมครอนเป็นสารตั้งต้น จากนั้นจึงทำการเจริญเติบโตแบบ epitaxis, ออกซิเดชัน, การพิมพ์หินด้วยแสง, การแพร่กระจาย การระเหย การยึดติดด้วยแรงดัน และการทำความสะอาดแผ่นเวเฟอร์หลายแผ่น และสุดท้ายคือการสร้างฟิล์มทู่และบรรจุภัณฑ์สำเร็จรูป

การสร้างชิปวงจรรวมแบบไบโพลาร์ต้องใช้ออกซิเดชัน 5 เท่า, การพิมพ์หินด้วยแสง 5 เท่าบนชั้นบางๆ ของซิลิคอนออกไซด์ (SiO2) และหน้าต่างรูปแบบสำหรับการเติมสารกระตุ้นการแพร่กระจายจะถูกสลักไว้ ในที่สุด หลังจากการพิมพ์หินด้วยแสงสองครั้ง สายไฟเชื่อมต่อระหว่างโลหะกับอะลูมิเนียมและหน้าต่างการสร้างฟิล์มสำหรับการเชื่อมด้วยแรงดันก็จะถูกสลักไว้ ดังนั้นจึงมีมาสก์ 7 ตัวสำหรับวงจรรวมแบบไบโพลาร์ทั้งชุด แม้ว่าโดยทั่วไปจะละเว้นกระบวนการสร้างฟิล์ม แต่จำเป็นต้องมีขั้นตอนการถ่ายภาพด้วยแสง 6 ขั้นตอน และต้องใช้หน้ากาก 6 ชิ้น