ช่องระบายอากาศแอปพลิเคชัน GaN
Sep 21, 2019| เซินเจิ้น Shenchuang Hi-tech Electronics Co., Ltd (SChitec) เป็นองค์กรเทคโนโลยีชั้นสูงซึ่งเชี่ยวชาญในการผลิตและจำหน่ายอุปกรณ์เสริมโทรศัพท์ ผลิตภัณฑ์หลักของเราประกอบด้วยที่ชาร์จสำหรับเดินทาง ที่ชาร์จในรถยนต์ สาย USB ธนาคารพลังงาน และผลิตภัณฑ์ดิจิทัลอื่นๆ ผลิตภัณฑ์ทั้งหมดมีความปลอดภัยและเชื่อถือได้ ด้วยรูปแบบที่เป็นเอกลักษณ์ ผลิตภัณฑ์ผ่านใบรับรองเช่น CE,FCC,ROHS,UL,PSE,C-Tick ฯลฯ , หากคุณสนใจ สามารถติดต่อ ceo@schitec.com ได้โดยตรง
ชาร์จกับ SChitec อย่างปลอดภัย
ช่องระบายอากาศแอปพลิเคชัน GaN
การกำเนิดของแกลเลียมไนไตรด์มาพร้อมกับพันธกิจในการพัฒนาเทคโนโลยีเพื่อรองรับชีวิตที่ดีของมนุษยชาติ เทคโนโลยีใหม่มากมาย แอปพลิเคชันใหม่ และตลาดใหม่ถูกกำหนดให้ดึงดูดความสนใจจากทั่วโลกเมื่อ GaN ย้ายจากห้องปฏิบัติการสู่ตลาด ตลาดเกิดใหม่เหล่านี้ ได้แก่ 5G, RF, การชาร์จเร็ว ฯลฯ เราอ้างถึงบางส่วนที่ GaN กำลังดำเนินการเชิงพาณิชย์ในวงกว้าง
เทคโนโลยี RF GaN เข้ากันได้อย่างลงตัวกับ 5G และเครื่องขยายกำลังของสถานีฐานใช้ GaN แกลเลียมไนไตรด์ (GaN), แกลเลียมอาร์เซไนด์ (GaAs) และอินเดียมฟอสไฟด์ (InP) เป็นวัสดุเซมิคอนดักเตอร์สามและห้าวาเลนต์ที่ใช้กันทั่วไปในการใช้งานความถี่วิทยุ เมื่อเปรียบเทียบกับกระบวนการความถี่สูง เช่น แกลเลียมอาร์เซไนด์และอินเดียมฟอสไฟด์ อุปกรณ์ GaN ให้พลังงานมากกว่า เมื่อเปรียบเทียบกับกระบวนการทางพลังงาน เช่น LDCMOS และซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) GaN มีลักษณะความถี่ที่ดีกว่า สิ่งสำคัญคือแบนด์วิธทันทีของอุปกรณ์ GaN จะต้องสูงกว่า การใช้เทคนิคการรวมตัวของผู้ให้บริการและการเตรียมตัวพาความถี่ที่สูงกว่าล้วนถูกนำมาใช้เพื่อให้ได้แบนด์วิธที่มากขึ้น
แกลเลียมไนไตรด์เร็วกว่าซิลิคอนหรืออุปกรณ์สามและห้าวาเลนต์อื่นๆ GaN สามารถบรรลุความหนาแน่นของพลังงานที่สูงขึ้น สำหรับระดับพลังงานที่กำหนด GaN มีข้อดีคือมีขนาดเล็ก ความจุของอุปกรณ์จะลดลง ทำให้การออกแบบระบบแบนด์วิธที่สูงขึ้นง่ายขึ้น องค์ประกอบสำคัญของวงจร RF คือ PA (เครื่องขยายกำลัง)
จากมุมมองของการใช้งานในปัจจุบัน เพาเวอร์แอมป์ส่วนใหญ่ประกอบด้วยเพาเวอร์แอมป์แกลเลียมอาร์เซไนด์และเพาเวอร์แอมป์เซมิคอนดักเตอร์โลหะออกไซด์เสริม (CMOS PA) ซึ่ง GaAs PA เป็นกระแสหลัก แต่ด้วยการถือกำเนิดของ 5G อุปกรณ์ GaAs จะไม่สามารถรักษาการบูรณาการในระดับสูงที่ความถี่สูงเช่นนี้ได้ ดังนั้น GaN จึงเป็นฮอตสปอตถัดไป ในฐานะเซมิคอนดักเตอร์แบบแถบความถี่กว้าง GaN สามารถทนต่อแรงดันไฟฟ้าในการทำงานที่สูงขึ้น ซึ่งหมายถึงความหนาแน่นของพลังงานที่สูงขึ้นและอุณหภูมิในการทำงานที่สูงขึ้น ส่งผลให้มีความหนาแน่นของพลังงานสูง การใช้พลังงานต่ำ ความถี่สูง และแบนด์วิธกว้าง