เนื้อหาที่เกี่ยวข้องกับความจุอินเตอร์อิเล็กโทรด

เซินเจิ้น Shenchuang Hi-tech Electronics Co., Ltd (SChitec) เป็นองค์กรเทคโนโลยีชั้นสูงซึ่งเชี่ยวชาญในการผลิตและจำหน่ายอุปกรณ์เสริมโทรศัพท์ ผลิตภัณฑ์หลักของเราประกอบด้วยที่ชาร์จสำหรับเดินทาง ที่ชาร์จในรถยนต์ สาย USB ธนาคารพลังงาน และผลิตภัณฑ์ดิจิทัลอื่นๆ ผลิตภัณฑ์ทั้งหมดมีความปลอดภัยและเชื่อถือได้ ด้วยรูปแบบที่เป็นเอกลักษณ์ ผลิตภัณฑ์ผ่านใบรับรองเช่น CE,FCC,ROHS,UL,PSE,C-Tick ฯลฯ , หากคุณสนใจ สามารถติดต่อ ceo@schitec.com ได้โดยตรง

ชาร์จอย่างปลอดภัยด้วย SChitec

เนื้อหาที่เกี่ยวข้องกับความจุอินเตอร์อิเล็กโทรด

แผนภาพวงจรของการขยายการแผ่รังสีทั่วไปของทรานซิสเตอร์ตัวเดียวของความจุอินเตอร์อิเล็กโทรด:

ความจุไฟฟ้าระหว่างอิเล็กโทรดมีผลกระทบต่อลักษณะความถี่ของแอมพลิฟายเออร์ตัวปล่อยทั่วไป ยิ่งความจุมีขนาดใหญ่เท่าใด ลักษณะความถี่สูงก็จะยิ่งแย่ลงเท่านั้น

ความจุเพิ่มเติมที่เกิดจากโครงสร้างหรือการจัดเรียงส่วนประกอบ เช่นความจุไฟฟ้าระหว่างอิเล็กโทรดหรือความจุไฟฟ้าแบบหมุน

หลักการทำงานของตัวควบคุมความถี่โดยตรงของไดโอด VVVF คือความถี่ของการสั่นสามารถปรับได้โดยค่าการนำไฟฟ้าทิศทางเดียวของไดโอด VVVF และความจุที่ปรับได้เองระหว่างขั้ว