การตีความเบื้องต้นของไตรโอด

เซินเจิ้น Shenchuang Hi-tech Electronics Co., Ltd (SChitec) เป็นองค์กรเทคโนโลยีชั้นสูงซึ่งเชี่ยวชาญในการผลิตและจำหน่ายอุปกรณ์เสริมโทรศัพท์ ผลิตภัณฑ์หลักของเราประกอบด้วยที่ชาร์จสำหรับเดินทาง ที่ชาร์จในรถยนต์ สาย USB ธนาคารพลังงาน และผลิตภัณฑ์ดิจิทัลอื่นๆ ผลิตภัณฑ์ทั้งหมดมีความปลอดภัยและเชื่อถือได้ ด้วยรูปแบบที่เป็นเอกลักษณ์ ผลิตภัณฑ์ผ่านใบรับรองเช่น CE,FCC,ROHS,UL,PSE,C-Tick ฯลฯ , หากคุณสนใจ สามารถติดต่อ ceo@schitec.com ได้โดยตรง

ชาร์จอย่างปลอดภัยด้วย SChitec

การตีความเบื้องต้นของไตรโอด

ทรานซิสเตอร์ [1] (หรือเรียกอีกอย่างว่าทรานซิสเตอร์) เป็นคำทั่วไปสำหรับเครื่องขยายเสียงสามพินในความหมายภาษาจีน ไตรโอดที่เรามักพูดกันอาจมีหลายอุปกรณ์ดังรูป

จะเห็นได้ว่าถึงแม้จะเรียกว่า triodes แต่คำพูดในภาษาอังกฤษนั้นแตกต่างกันมาก จริงๆ แล้วคำว่าไตรโอดเป็นคำศัพท์เชิงเปรียบเทียบที่มีลักษณะเฉพาะในภาษาจีน

"Triode" (ทรานซิสเตอร์อิเล็กทรอนิกส์) นี่เป็นคำแปลภาษาอังกฤษฉบับเดียวของ "triode" ในพจนานุกรมภาษาอังกฤษเป็นภาษาจีน มันเกี่ยวข้องกับการปรากฏตัวครั้งแรกของไตรโอดอิเล็กทรอนิกส์ เป็นวัตถุดั้งเดิมของคำว่าไตรโอด อุปกรณ์ที่เหลือที่เรียกว่าไตรโอดในภาษาจีนไม่สามารถแปลเป็นไทรโอดได้เมื่อแปลจริงแล้ว

ไตรโอดอิเล็กทรอนิกส์ ไตรโอด (รู้จักกันทั่วไปในชื่อหลอด)

ทรานซิสเตอร์แบบไบโพลาร์ BJT (ทรานซิสเตอร์สองขั้วทางแยก)

ทรานซิสเตอร์สนามผลชนิด J ประตูทางแยก FET (ทรานซิสเตอร์สนามผล)

ทรานซิสเตอร์สนามผลกึ่งตัวนำโลหะออกไซด์ของโลหะ

ทรานซิสเตอร์เอฟเฟกต์สนามเพลาะชนิด V VMOS (เซมิคอนดักเตอร์โลหะออกไซด์ในแนวตั้ง)

หมายเหตุ: ทั้งสามดูเหมือนจะเป็น FET ในความเป็นจริง MOSFET และ V-channel FET เป็นแบบ Unipolar และสอดคล้องกับ Bipolar พวกเขายังสามารถเรียกรวมกันว่า Unipolar Junction Transistors

FET ประเภท J เป็น FET ที่ไม่มีฉนวน และทั้ง MOS FET และ VMOS เป็น FET แบบหุ้มฉนวน

VMOS เป็นทรานซิสเตอร์กำลังขยายสูงที่มีกระแสไฟสูง กำลังขยายสูง (ข้ามช่องสัญญาณ) รูปแบบใหม่ที่ได้รับการปรับปรุงบนพื้นฐานของ MOS ข้อแตกต่างก็คือช่องรูปตัว V ใช้เพื่อเพิ่มปัจจัยการขยายและกระแสการทำงานของทรานซิสเตอร์ MOS อย่างมาก แต่ก็เพิ่มขึ้นอย่างมากเช่นกัน ความจุอินพุตของ MOS เป็นผลิตภัณฑ์ที่ได้รับการปรับปรุงกำลังสูงของหลอด MOS แต่โครงสร้างแตกต่างอย่างมากจาก MOS แบบดั้งเดิม VMOS ได้รับการปรับปรุงเท่านั้น และไม่มีทรานซิสเตอร์ MOS พร่องซึ่งเป็นลักษณะเฉพาะของ MOS